IGBT在使用過程中經常受到容性或感性負載的沖擊，承受過負荷甚至負載短路等，可能導致IGBT損壞。 IGBT模塊在使用時的損壞原因主要有以下幾種情況。(1)過電流損壞①鎖定效應。IGBT 為復合器件，其內有一個寄生晶閘管，在規定的漏極電流范圍內， NPN的正偏壓不足以使NPN晶體管導通，當漏極電流大到一定程度時，這個正偏壓足以使NPN 晶體管開通，進而使NPN 或PNP晶體管處于飽和狀態，于是寄生晶閘管開通，柵極失去了控制作用，便發生了鎖定效應。IGBT發生鎖定效應后，集電極電流過大，造成了過高的功耗而導致器件損壞。②長時間過流運行。IGBT模塊長時間過流運行是指 IGBT的運行指標達到或超出RBSOA（反偏安全工作區）所限定的電流安全邊界（如選型失誤、安全系數偏小等），出現這種情況時，電路必須能在電流到達 RBSOA限定邊界前立即關斷器件，才能達到保護器件的目的。③短路超時(>10us)。短路超時是指IGBT 所承受的電流值達到或超出 SCSOA（短路安全工作區）所限定的最大邊界，比如 4-5倍額定電流時，必須在 10us之內關斷IGBT。如果此時 IGBT所承受的最大電壓也超過器件標稱值， IGBT必須在更短的時間內被關斷。(2)過電壓損壞和靜電損壞IGBT 在關斷時，由于逆變電路中存在電感成分，關斷瞬間產生尖峰電壓，如果尖峰電壓超過IGBT 器件的最高峰值電壓，將造成 IGBT擊穿損壞。IGBT過電壓損壞可分為集電極-柵極過電壓、柵極-發射極過電壓、高 du/dt 過壓電等。大多數過電壓保護的電路設計都比較完善，但是對于由高 du/dt所導致的過電壓故障，基本上都是采用無感電容或者 RCD結構吸收電路。由于吸收電路設計的吸收容量不夠而造成IGBT 損壞，對此可采用電壓鉗位，往往在集電極-柵極兩端并接齊納二極管，采用柵極電壓動態控制，當集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應起作用），避免了 IGBT 因受集電極發射極過電壓而損壞。采用柵極電壓動態控制可以解決過高的 du/dt 帶來的集電極發射極瞬間過電壓問題，但是它的弊端是當 IGBT處于感性負載運行時，半橋結構中處于關斷的IGBT，由于其反并聯二極管（續流二極管）的恢復，其集電極-發射極兩端的
    電壓急劇上升，從而承受瞬間很高的 du/dt。多數情況下，該 du/dt值要比 IGBT正常關斷時的集電極-發射極電壓上升率高，由于米勒電容( Cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產生一個瞬間電流，流向柵極驅動電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導致柵極-發射極電壓 UGE值的升高，甚至超過IGBT的開通門限電壓UGE(th)值。出現惡劣的情況就是使IGBT被誤觸發導通，導致變換器的橋臂短路。(3)過熱損壞過熱損壞一般指使用中 IGBT模塊的結溫正超過晶片的最大溫度限定，目前應用的IGBT器件還是以 Tjmax=150℃的NPT技術為主流的，為此在 IGBT 模塊應用中其結溫應限制在該值以下。